سامسونج إلكترونيكس تحقق رقماً قياسياً تاريخياً في القطاع نصف السنوي بقسم الذاكرة وحده... إنفاق 16 تريليون وون على البحث والتطوير للحفاظ على "الفجوة الكبيرة"

  • قسم DS يستحوذ على 99% من الأرباح التشغيلية للشركة... معدل الربح التشغيلي يصل إلى 70%

  • تكاليف البحث والتطوير تنمو بنسبة 41% مقابل الربع السابق... بدء العمل في مصنع تايلور فاب 2 الأمريكي خلال العام الجاري

  • استمرار النمو في قطاع أشباه الموصلات في الربع الثاني... توقعات بأرباح تشغيلية سنوية تبلغ 380 تريليون وون

الصورة: فريق الرسوميات بوكالة آجو الاقتصادية
[الصورة: فريق الرسوميات بوكالة آجو الاقتصادية]

حققت سامسونج إلكترونيكس نتائج قياسية جديدة في قطاع أشباه الموصلات وحده خلال الربع الثاني من العام الجاري. تولى قسم ذاكرة أشباه الموصلات قيادة النمو في النتائج المالية، حيث استحوذ على 99% من أرباح الشركة. مع توقع استمرار الطلب على منتجات الذاكرة في الربع الثاني من السنة، تعتزم الشركة التركيز على تعزيز القدرة التنافسية في أشباه الموصلات المتقدمة مثل ذاكرة النطاق العريض العالي من الجيل التالي (HBM).

أعلنت سامسونج إلكترونيكس في 30 يوليو عن تحقيقها في الربع الثاني من العام الجاري إيرادات بلغت 127.5 تريليون وون في قسم الأجهزة الرقمية (DS)، وأرباح تشغيلية قدرت بـ 89.2 تريليون وون. بلغ معدل الربح التشغيلي لقسم DS بأكمله 70%، وعند النظر إلى عمليات الذاكرة الديناميكية العشوائية (DRAM) وحدها، يُقدّر أن معدل الربح تجاوز 80%. تحمل قسم أشباه الموصلات على عاتقه 99.7% من إجمالي الأرباح التشغيلية للشركة.

يعكس هذا الأداء القوية تأثير الارتفاع الحاد في أسعار أشباه الموصلات الذاكرة نتيجة لتوسع الاستثمارات في بنية أساس الذكاء الاصطناعي. ساهم توسع مبيعات المنتجات عالية القيمة مثل ذاكرة النطاق العريض العالي بشكل كبير أيضاً. بوجه خاص، بما أن سامسونج تمتلك أكبر طاقة إنتاجية بين ثلاث شركات عملاقة عالمية في قطاع الذاكرة، فإنها تحصل على أكبر فوائد من الارتفاع الحاد في أسعار الذاكرة الديناميكية العشوائية والذاكرة فلاش NAND على مستوى السوق. تبلغ طاقة إنتاج سامسونج من رقائق الذاكرة الديناميكية العشوائية حوالي 650,000 إلى 700,000 رقيقة شهرياً.

صرح مسؤول في سامسونج إلكترونيكس بقوله: "شهدنا زيادة في كميات الشحنات عبر جميع منتجات الذاكرة - الذاكرة الديناميكية العشوائية والذاكرة فلاش ومنتجات ذاكرة النطاق العريض العالي - إلى عملائنا من مزودي الخدمات السحابية الفائقة. مع بدء الإمدادات الشاملة لذاكرة النطاق العريض من الجيل الرابع (HBM4)، ارتفعت كميات الشحنات بنسبة 10% مقابل الربع السابق، بينما نما قطاع الذاكرة الديناميكية العشوائية برقم من رقم واحد، مما أحقق مبيعات قياسية".

يُتوقع أن يستمر نقص العرض في أسواق الذاكرة حتى عام 2028. يجري توسيع نطاق عقود التوريد طويلة الأجل (LTA) لضمان استقرار الإمدادات. أشارت سامسونج إلكترونيكس إلى أنها "تخطط لعقود توريد طويلة الأجل تغطي 60 إلى 70% من إجمالي طاقتها الإنتاجية للذاكرة"، مضيفة أن "العديد من العملاء يطلبون عقود توريد متعددة السنوات حيث يتسع الإجماع على استمرار نقص المعروض". أكملت سامسونج بالفعل العقود مع خمس من أكبر عملاء مراكز البيانات العالميين، وتسعى حالياً للتوصل إلى عقود إضافية مع خمس شركات عملاقة أخرى مرتبطة بالطلب على حلول الذكاء الاصطناعي.

يشهد قطاع ذاكرة النطاق العريض العالي نمواً متسارعاً. احتلت سامسونج إلكترونيكس المركز الثاني بحصة 21% من سوق ذاكرة النطاق العريض العالي العالمية في الربع الأول من العام الجاري، متفوقة على شركة SK Hynix التي تمسك بـ 58%. من المتوقع أن تتوسع مبيعات ذاكرة النطاق العريض من الجيل السادس (HBM4) بأكثر من ثلاثة أضعاف خلال الربع الثالث مقابل الربع السابق، ويُتنبأ بأن تتجاوز مبيعات HBM4 في الربع الثاني من السنة 60% من إجمالي مبيعات منتجات ذاكرة النطاق العريض.

تعتزم سامسونج تعزيز القدرات التكنولوجية للأجيال التالية من ذاكرة النطاق العريض، إضافة إلى رفع القدرة التنافسية في عمليات الفاونديري. بعد تطبيق عملية 4 نانومتر من الجيل الرابع على HBM4 و HBM4E، تخطط سامسونج لاستخدام عملية 2 نانومتر في HBM5 لرفع الأداء وكفاءة الطاقة خطوة إضافية. تؤكد سامسونج إلكترونيكس أنها شركة أشباه موصلات متكاملة توفر الذاكرة والفاونديري والتغليف. أفاد مسؤول في سامسونج قائلاً: "من المتوقع أن يتجاوز عدد طلبات 2 نانومتر في هذا العام ضعف العام السابق بشكل كبير، وقد يكون تحقيق الربحية في قسم الفاونديري ممكناً في المستقبل القريب جداً".

لا تتردد الشركة عن الاستثمار في الحفاظ على قيادتها التكنولوجية. بلغت تكاليف البحث والتطوير في الربع الثاني 16 تريليون وون، محققة أعلى مستوى تاريخي. وهذا يمثل زيادة بنسبة 41% مقابل الربع السابق. بلغ الإنفاق على مشاريع البنية التحتية (CAPEX) في الربع الثاني أيضاً 16.8 تريليون وون، بزيادة قدرها 5.5 تريليون وون عن الربع السابق. في قطاع الفاونديري، تتطلع سامسونج إلى تشغيل مصنع تايلور فاب 1 الأمريكي قبل نهاية العام الجاري، وتعتزم بدء العمل في مصنع تايلور فاب 2 الموسع للطاقة الإنتاجية بعملية 2 نانومتر بنهاية العام، بهدف الوصول إلى الإنتاج الضخم بحلول عام 2030.

يتوقع محللو الأوراق المالية استمرار النتائج القوية في الربع الثاني من السنة. تتنبأ شركة KB Securities بارتفاع أسعار الذاكرة بما لا يقل عن 30% في الربع الثالث، وتقدّر مبيعات ومرات الأرباح التشغيلية لسامسونج إلكترونيكس في الربع الثالث بـ 209 تريليون وون و110 تريليون وون على التوالي، متوقعة مفاجآت إيجابية للأرباح في ثلاثة أرباع متتالية. كما يتوقع السوق أن تصل الأرباح التشغيلية السنوية للشركة إلى حوالي 380 تريليون وون، مع مناقشة احتمالية تجاوزها 400 تريليون وون.




* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.