شركة SK هايينكس تكشف النقاب عن معايير تقنية HBF الأولى عالمياً وتعرض رقاقة نانو بـ 375 طبقة

  • المشاركة في معرض FMS 2026 الأمريكي... ثمرة التعاون مع SanDisk بعد ستة أشهر

أعلنت شركة SK هايينكس عن كشفها النقاب عن أول معايير تقنية تخزين من الجيل القادم HBF بالتعاون مع SanDisk من خلال منظمة OCP في الرابع من أغسطس. [الصورة: SK هايينكس]
أعلنت شركة SK هايينكس عن كشفها النقاب عن أول معايير تقنية تخزين من الجيل القادم HBF بالتعاون مع SanDisk من خلال منظمة OCP في الرابع من أغسطس. [الصورة: SK هايينكس]


أعلنت شركة SK هايينكس في الرابع من أغسطس عن كشفها النقاب عن أول معايير تقنية قياسية لتقنية التخزين من الجيل القادم HBF بالتعاون مع شركة SanDisk.

ستقدم SK هايينكس تقنية HBF في معرض "FMS 2026" الذي ينعقد في الرابع من أغسطس الجاري (بالتوقيت المحلي) في مركز سانتا كلارا للمؤتمرات بولاية كاليفورنيا الأمريكية، وتسلط عليها الضوء باعتبارها التقنية الأساسية لفتح اختناقات الذاكرة في عصر الذكاء الاصطناعي.

تمثل تقنية HBF طبقة ذاكرة جديدة بين الذاكرة عالية النطاق (HBM) وأجهزة التخزين بسعة كبيرة (SSD). تتمتع بسرعة مماثلة لتقنية HBM بينما تتضاعف سعتها بشكل كبير بناءً على تقنية الفلاش النانوي، مما يجعلها حلاً أساسياً لمعالجة مشكلة تباطؤ الأداء الناجم عن الانفجار الكبير في بيانات الذكاء الاصطناعي.

تمثل هذه أول نتيجة ملموسة بعد نحو ستة أشهر من تأسيس الاتحاد في فبراير الماضي. تتميز المعايير المعلنة بترتيب رقائق الفلاش النانوي في 8 و16 طبقة لتحقيق سعة قصوى تبلغ 512 غيغابايت. توفر تقنية نقل النطاق الترددي (معدل نقل البيانات في الثانية) حداً أقصى يصل إلى 3.0 تيرابايت/ثانية.

تعتمد التقنية على معيار الاتصال من الجيل القادم UCIe، مما يضمن التوافق المرن مع أنواع مختلفة من أشباه الموصلات مثل معالجات الرسومات (GPU) والمعالجات المركزية (CPU).

سيتم الكشف عن المعايير من خلال OCP، أكبر تحالف تعاون في مراكز البيانات المفتوحة، لاستخدامها كمعايير صناعية موحدة. يشارك حالياً في الاتحاد عمالقة من قبيل غوغل وTensorflow.

ستعرض SK هايينكس في هذا الحدث تقنيات متقدمة عديدة أخرى. سيلقي كيم تشون سونغ، رئيس قسم تطوير الحلول، وكانغ وك سونغ، مسؤول تخطيط المنتجات من الجيل القادم، كلمة أساسية مشتركة حول "الذاكرة الهرمية" لتحسين كفاءة بنية الذكاء الاصطناعي.

على نحو خاص، ستكشف الشركة عن رقاقة الفلاش النانوي ثلاثي الأبعاد من الجيل العاشر (V10) بـ 375 طبقة بكفاءة طاقة أعلى بـ 2.5 مرة، وستعرض المنتج للمرة الأولى عالمياً. تخطط SK هايينكس للبدء في الإنتاج الضخم لمحركات SSD الخاصة بالمؤسسات (eSSD) المعتمدة على هذه تقنية الفلاش النانوي في بداية العام المقبل.

قال كيم تشون سونغ، رئيس القسم: "مع التوسع السريع في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، أصبح الوقت مناسباً لإعادة تصميم شاملة لهيكل معالجة البيانات بأكمله. من خلال تقنية HBF، سنقدم عمارة جديدة توسع الحدود بين الذاكرة والتخزين وترفع الكفاءة الإجمالية للنظام."





* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.