تأمين موثوقية MOSFET كربيد السيليكون 1200 فولت...الدعم الشامل من التصميم إلى التصنيع والتقييم
تقديم مجموعات التصميم من الجيل الأول والثاني للعملاء...إطلاق الجيل الثالث في نوفمبر وتقصير فترة التطوير بمدة سنة واحدة
![شعار مقر دي بي هايتك الرئيسي [الصورة=دي بي هايتك]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/09/20260909092802335218.jpg)
أعلنت شركة دي بي هايتك عن إنجاز تاريخي يتمثل في إتمام التحقق من موثوقية عملية تصنيع الأنصاف الموصلة القوية من كربيد السيليكون (SiC) بجهد 1200 فولت على أساس رقاقات بقطر 8 بوصات للمرة الأولى عالمياً. وتأتي هذه الخطوة في وقت يشهد فيه سوق كربيد السيليكون، الذي يهيمن عليه حالياً القطر 6 بوصات، انتقالاً نحو القطر 8 بوصات لتعزيز القدرة التنافسية من حيث التكلفة، مما يسبق الإنتاج الكامل المخطط له في عام 2027.
أعلنت دي بي هايتك في التاسع من سبتمبر عن إكمال التحقق من موثوقية عملية معالجة MOSFET كربيد السيليكون 1200 فولت بقطر 8 بوصات. وأوضحت الشركة أنها حققت نظاماً متكاملاً لعمليات التصنيع بالوكالة يدعم بشكل شامل جميع المراحل بدءاً من التصميم الأولي وصولاً إلى تصنيع الرقاقات والتقييم الكهربائي والتحقق من الموثوقية.
يعتبر كربيد السيليكون مادة أنصاف موصلة قوية من الجيل التالي تتمتع بقدرة عالية على تحمل درجات الحرارة المرتفعة والجهود العالية مقارنة بالسيليكون التقليدي، مما يجعلها الخيار الأمثل للتطبيقات في المركبات الكهربائية والطاقة المتجددة والأجهزة الصناعية. ويعتبر توسيع قطر الرقاقة من 6 بوصات إلى 8 بوصات عاملاً حاسماً في تقليل أسعار كربيد السيليكون، حيث يتيح زيادة عدد الشرائح التي يمكن إنتاجها من كل رقاقة واحدة.
تقدم شركة دي بي هايتك حالياً مجموعات تصميم العمليات (PDK) من الجيل الأول والثاني الخاصة بها لـ MOSFET كربيد السيليكون 1200 فولت إلى عملائها. تمثل مجموعات التصميم مجموعات من قواعد التصميم والنماذج التي توفرها الشركة للعملاء لتمكينهم من تصميم الشرائح وفقاً لعمليات التصنيع بالوكالة. وتتوقع الشركة أن هذا الإجراء سيتيح تسريع إنتاج نماذج العملاء الأولية وتقليل إجمالي فترة التطوير بما لا يقل عن سنة واحدة.
حققت عملية الجيل الثاني مقاومة نوعية تبلغ 2.5 ملي أوم·سم² أو أقل وجهد عتبة 3 فولت أو أعلى. وتخطط الشركة لكشف النقاب عن مجموعة التصميم من الجيل الثالث في نوفمبر المقبل، والتي ستحقق مقاومة نوعية منخفضة تبلغ 2.3 ملي أوم·سم² أو أقل.
تشكل أعمال كربيد السيليكون المحور الأساسي لإعادة توجيه دي بي هايتك لعمليات التصنيع بالوكالة بقطر 8 بوصات من الأنشطة التقليدية نحو الأنصاف الموصلة القوية عالية القيمة. حددت الشركة هدفاً لنفسها يتمثل في رفع نسبة مبيعات المنتجات عالية القيمة في قطاعات مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والسيارات والتطبيقات الصناعية من 24% عام 2025 إلى 60% بحلول عام 2030، مع توسيع إجمالي الإيرادات إلى نطاق يقارب 1.8 تريليون وون.
تخطط دي بي هايتك لتقديم العملية على أساس أولوي للعملاء المتعاونين الحاليين بدءاً من الربع الثالث من هذا العام، مع خطة لتوسيع الخدمة لجميع العملاء في الربع الثاني من عام 2027. وقد شاركت الشركة مؤخراً في معارض الأنصاف الموصلة القوية في أوروبا والهند، وتسعى بنشاط إلى استقطاب عملاء جدد في مجالات كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
قال مسؤول في دي بي هايتك: «يكتسب إكمال التحقق من الموثوقية هذا أهمية خاصة لأنه يثبت تأمين تقنيات العمليات الأساسية والأساس الإنتاجي لتقديم خدمات التصنيع بالوكالة لكربيد السيليكون بقطر 8 بوصات للمرة الأولى عالمياً. وستواصل الشركة الاستعدادات الجادة لإطلاق الإنتاج الكامل لكربيد السيليكون بقطر 8 بوصات في عام 2027، مما يعزز موقعها التنافسي في سوق التصنيع بالوكالة للأنصاف الموصلة القوية من الجيل التالي».
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.