سامسونج تستثمر 392 تريليون وون في منطقة تشونغتشيونغ؛ إنتاج رقائق الذاكرة في بيونغتاك وتجميعها في أونيانغ

تطوير العمليات الجديدة في كيهونغ وإنتاج كميات ضخمة في فاسونغ وبيونغتاك؛ خطط لبناء فاب ثانٍ في كوانغجو بعد يونغين

إضافة خمسة خطوط في أونيانغ إلى معدات التجميع في تشيونان؛ حزام معالجة لاحقة لذاكرة النطاق العريض بين منطقة العاصمة وجنوب الدولة

• تطوير العمليات الجديدة في كيهونغ وإنتاج كميات ضخمة في فاسونغ وبيونغتاك؛ خطط لبناء فاب ثانٍ في كوانغجو بعد يونغين

• إضافة خمسة خطوط في أونيانغ إلى معدات التجميع في تشيونان؛ حزام معالجة لاحقة لذاكرة النطاق العريض بين منطقة العاصمة وجنوب الدولة

رئيس سامسونج إلكترونيكس لي جاي-يونغ يلقي كلمة ترحيب في حفل البدء الرسمي لمشروع منطقة تشونغتشيونغ الضخم في موقع بناء حرم أونيانغ بسامسونج إلكترونيكس في آسان بمحافظة تشونغتشيونغ الجنوبية في 12 تشرين الثاني. [الصورة=وكالة يونهاب نيوز]

أطلقت سامسونج إلكترونيكس في الثاني عشر من الشهر حفل البدء الرسمي لمصنع التجميع الخامس لذاكرة النطاق العريض العالي في حرم أونيانغ بآسان في محافظة تشونغتشيونغ الجنوبية، وشرعت في بناء مركز معالجة لاحقة يربط بين زيادة إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية لذاكرة النطاق العريض في بيونغتاك إلى الشمال والفاب الجديد في كوانغجو إلى الجنوب. تخطط سامسونج إلكترونيكس لإضافة قدرات التجميع والفحص في أونيانغ إلى معدات تجميع ذاكرة النطاق العريض الموجودة في تشيونان، مما يجعل منطقة تشونغتشيونغ مسؤولة عن إتمام الرقائق نهائياً. وتسعى الشركة إلى بناء حزام معالجة لاحقة متقدمة في المنتصف بين منطقة العاصمة وإقليم جنوب الدولة.

وفقاً للمصادر السياسية والصناعية في الثاني عشر من الشهر، يعود اختيار سامسونج لأونيانغ إلى كونها منشأة متخصصة في تجميع ومعالجة الرقائق منذ عام 1991. تتوفر في مدينة تشيونان القريبة بالفعل منشآت إنتاج لذاكرة النطاق العريض وتقنية التغليف على مستوى الويفر، مما يعني أن المعارف الفنية والقوى العاملة لتحويل الرقائق المعالجة إلى منتجات قابلة للشحن موجودة في كلا الموقعين.

تُعتبر ذاكرة النطاق العريض من الجيل الرابع مثالاً بارزاً على هذا التقسيم الوظيفي. تحتوي ذاكرة النطاق العريض من الجيل الرابع من سامسونج على ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية من الجيل السادس بتقنية 10 نانومتر (1c) لتخزين البيانات ومعالج منطقي بتقنية 4 نانومتر للتحكم في نقل الإشارات. يصبح خط التغليف المكان الذي تنضم فيه الرقائق المصنعة بشكل منفصل في عمليات الذاكرة والمسبك لتشكيل منتج واحد. يرى المحللون في الصناعة أنه حتى مع زيادة حجم إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية في بيونغتاك، يجب أن تتمكن المعدات المسؤولة عن تجميع الرقائق وربطها واختبارها من التعامل مع هذا الحجم لزيادة إنتاج ذاكرة النطاق العريض المتاح للعملاء. هذا هو السبب في أن الاستثمارات في العمليات السابقة في منطقة العاصمة والعمليات اللاحقة في منطقة تشونغتشيونغ تسير جنباً إلى جنب.

تنقسم أدوار المصانع في منطقة العاصمة أيضاً. يتم في كيهونغ تطوير العمليات الجديدة والتحقق من صحتها قبل الإنتاج الضخم، وتخطط سامسونج للاستثمار بمبلغ 20 تريليون وون في مجمع البحث والتطوير المتكامل هناك حتى عام 2030. يحتوي فاسونغ على خطوط إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ومسبك متقدم يستخدم تقنية التصوير بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة، بينما يتولى بيونغتاك الإنتاج الضخم للذاكرة والمسبك المتقدم. وعلى وجه الخصوص، تعمل المنشأة الرابعة في بيونغتاك على توسيع قدرة إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية من الجيل الأول (1c) المستخدمة في ذاكرة النطاق العريض من الجيل الرابع.

تتزامن جداول التوسع بين بيونغتاك وأونيانغ أيضاً. أعلنت سامسونج إلكترونيكس عن خطتها لبدء تشغيل المنشأة الخامسة في المنطقة الثانية من بيونغتاك بشكل كامل كمركز أساسي لإنتاج ذاكرة النطاق العريض في عام 2028. تم تحديد هدف البدء التشغيلي للمنشأة الخامسة في أونيانغ، التي تم وضع حجر الأساس لها اليوم، في يونيو عام 2028، وهو ما يقدم الجدول الزمني بحوالي سنة واحدة عما كان مخططاً له سابقاً. أوضحت سامسونج أن استثمار 46 تريليون وون في أونيانغ لا يمثل تكلفة بناء مصنع واحد فقط، بل هو استثمار متوسط وطويل الأجل موزع على إنشاء خمسة خطوط إنتاج لذاكرة النطاق العريض في الحرم الجامعي، مع تخصيص 40 تريليون وون منها للمعدات.

ستكون منطقة التوسع التالية للعمليات السابقة في منطقة العاصمة هي حي تشيونين في مدينة يونغين. قررت سامسونج إلكترونيكس بناء ستة فابات بشكل تدريجي في المنطقة الصناعية الوطنية للرقائق المتقدمة بشكل منفصل عن حرم كيهونغ الموجود، مع استهداف بدء تشغيل أول خط إنتاج في أكتوبر 2029. تشير التفسيرات إلى أن الاستثمار في جنوب الدولة (كوانغجو) هو قرار تم اتخاذه بنظر أبعد في المستقبل. كشفت سامسونج إلكترونيكس في يونيو الماضي عن خطتها للاستثمار بمبلغ 400 تريليون وون في كوانغجو لبناء فابين جديدين. وقتها، أوضح نائب رئيس الشركة أن مصنع بيونغتاك في مراحله الأخيرة من الإنجاز وأن جدول استثمار منطقة يونغين الصناعي يتسارع، مما يعني أن الوقت المناسب للتحضير لمنطقة جديدة قد تقدم.

ستكون الفابات التي ستُقام في كوانغجو منشآت معالجة سابقة تقوم بإنشاء دوائس على الويفر. وفقاً لخطط سامسونج، ستتوسع مساحات إنتاج الرقائق من جنوب محافظة كيونغي إلى إقليم جنوب الدولة. في هذه الأثناء، ستستخدم منطقة تشونغتشيونغ منشآتها الموجودة لتوسيع نطاق ومجالات عمليات المعالجة اللاحقة المتقدمة. ستعمل تشيونان على زيادة وتحديث المعدات المخصصة لذاكرة النطاق العريض، بينما ستحول أونيانغ تركيزها من التجميع والفحص العام للرقائق إلى تجميع الذاكرة عالية الأداء. يرى المحللون في الصناعة أن أهمية منطقة تشونغتشيونغ تكمن ليس في موقعها الجغرافي بين المنطقتين، بل في اختلاف نوع المنتجات المكتملة هناك.

أكد لي جاي-يونغ، رئيس سامسونج إلكترونيكس، في حفل البدء الرسمي اليوم قائلاً: "ستتحمل سامسونج إلكترونيكس مسؤولية أكبر وستدفع قدماً بقوة مشاريع منطقة تشونغتشيونغ الضخمة، فضلاً عن مشاريع إقليم جنوب الدولة وإقليم جنوب شرق الدولة لصالح قصة نجاح جمهورية كوريا التي لا يمكن استبدالها."




* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.