بناء النظام البيئي لصيغة القناع الكبيرة من الجيل القادم بمقاس 6×12 بوصة
![معدات ASML من نوع EXE 5000 عالية الفتحة العددية للأشعة فوق البنفسجية الموجودة في مصنع إنتل الرقم 25 [الصورة = إنتل كوريا]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/08/20260908163733988388.jpg)
أعلنت إنتل فاونديري وASML عن نتائج الإنتاج الضخم وخارطة الطريق التكنولوجية المستقبلية لعملية الأشعة فوق البنفسجية عالية الفتحة العددية (High NA EUV)، وهي تكنولوجيا الحماية الضوئية من الجيل القادم.
وفقاً لمصادر الصناعة في الثامن من سبتمبر، شاركت إنتل فاونديري حالة التعاون من خلال مؤتمر "تكنولوجيا أقنعة SPIE والعمليات الضوئية من الجيل القادم" الذي عُقد مؤخراً في مونتيري بولاية كاليفورنيا بالولايات المتحدة الأمريكية.
طبّقت الشركة هذه التكنولوجيا حالياً على معالجة أكثر من مليون رقاقة، بما في ذلك الإنتاج الضخم لبعض طبقات معالجات الجيل القادم "بانثر ليك". وأوضح مسؤول في إنتل فاونديري أن "النتائج المحققة تحقق التوقعات المرجوة فيما يتعلق بدقة التراكب والإنتاجية والمعدل التشغيلي".
على وجه الخصوص، أظهرت المنتجات المنتجة بإدخال تقنية High NA في عملية إنتل 18A أداءً مساوياً أو متفوقاً عند مقارنتها بالمنتجات القائمة على منصة NXE بمواصفات 0.33 NA السابقة.
فيما يتعلق بنظام دعم العملاء، توفر الشركتان حلولاً تتضمن خطط "التنسيق حسب الطبقة" وتقنية "الخياطة" وحزم تصميم العملية، مما يسمح الاستفادة من مزايا High NA مع الحفاظ على معايير القناع السادس الإنش التقليدية.
قادت الشركتان على مدى السنوات الثلاث الماضية "مبادرة صيغة القناع الكبيرة" لتوحيد النظام البيئي للأقنعة، حيث تعمل بالتوازي على الدعم قصير الأجل القائم على أقنعة السادس إنش والانتقال المستقبلي إلى صيغة القناع الكبيرة بمقاس 6×12 بوصة.
وصرّح كريستوف فوكيه، الرئيس التنفيذي لـ ASML: "نقدّر إنتل فاونديري كقائد رئيسي قاد اعتماد تقنية High NA، ونشيد بجهود التوحيد والابتكار في مجال الأقنعة".
كما أضاف ناجا تشاندراسيكاران، المدير العام المشترك لإنتل فاونديري: "سنواصل السعي لتطوير البنية التحتية من خلال التعاون مع ASML والنظام البيئي الصناعي الشامل لتوسيع نطاق تقنية الأشعة فوق البنفسجية عالية الفتحة العددية".
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.