من الاختناق في العمليات الحسابية إلى نقل البيانات... أهمية التغليف المتقدم آخذة في الارتفاع
الذاكرة عالية النطاق الترددي تتطور أيضاً عبر الربط الهجين... توسع التعاون في التغليف بين سامسونج وإس كي
![موكوند سرينيفاسان نائب رئيس مجموعة أبلايد ماتيريالز وبارك كوانغ-سون الرئيس التنفيذي لأبلايد ماتيريالز كوريا أثناء حضورهما جلسة إحاطة إعلامية بعنوان 'ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية والتغليف المتقدم في عصر الذكاء الاصطناعي' في مركز كوكس بريمير أوكوود في منطقة سامسونغ-دونغ بسول في 31 أغسطس. [الصورة: مراسل جو سيونغ-جون]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/31/20260831141118525310.jpg)
يتسع نطاق المنافسة في أداء رقائق الذكاء الاصطناعي من التركيز على تطوير المنطق الأسرع والذاكرة عالية النطاق الترددي إلى مدى قرب الربط بينهما. وقد ظهر هذا التطور استجابة لما يسمى 'حاجز الذاكرة'، حيث أصبحت سرعة تخزين البيانات ونقلها العامل المحدد لأداء النظام مع ارتفاع قدرات الحوسبة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي. وفي صناعة الرقائق الكورية، التي تتصدر سوق الذاكرة عالية النطاق الترددي، برزت الكفاءة في تغليف ومعالجة المتقدمة لربط المنطق والذاكرة كعامل حاسم لتحديد القدرة التنافسية للأجيال القادمة.
في جلسة الإحاطة الإعلامية 'ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية والتغليف المتقدم في عصر الذكاء الاصطناعي' التي عُقدت في 31 أغسطس في مركز كوكس بريمير أوكوود في سول، حدد موكوند سرينيفاسان نائب رئيس مجموعة أبلايد ماتيريالز كفاءة الطاقة كمسألة أساسية في تصميم رقائق الذكاء الاصطناعي. وشرح أن رقائق الذكاء الاصطناعي تنقسم إلى ثلاثة عناصر: المنطق والذاكرة والتغليف الذي يربط بينهما، مؤكداً أن 'التغليف يتطلب تجميع المنطق والذاكرة بقرب شديد جداً من بعضهما'.
مع تطور المنطق نحو هياكل ثلاثية الأبعاد مثل بوابة محيطة بالكل (GAA) وتطور الذاكرة نحو الذاكرة عالية النطاق الترددي بتكديس الديناميكية رأسياً، يتقدم التغليف أيضاً من الهياكل ثنائية الأبعاد والنصف ثلاثي إلى الهياكل الكاملة ثلاثية الأبعاد. وأشار سرينيفاسان إلى أن المتطلبات الأساسية لذاكرة الجيل القادم تشمل السرعة وتأخير التوقيت والنطاق الترددي. وأوضح أنه من خلال زيادة كثافة المدخلات والمخرجات وتقليل المسافة بين المنطق والذاكرة، يمكن خفض الوقت والطاقة اللازمة لنقل البيانات.
تتطور تقنية تكديس الذاكرة عالية النطاق الترددي في نفس الاتجاه. حالياً، يتم استخدام طريقة ربط الديناميكية بالنتوءات الدقيقة بشكل أساسي، لكن مع زيادة طبقات التكديس، يصبح من الضروري تقليل الفجوات بين نقاط الاتصال والرقائق. قال سرينيفاسان: 'لتحسين كفاءة الطاقة في الذاكرة عالية النطاق الترددي وتحقيق التوسع، يجب الانتقال من التكديس القائم على النتوءات الدقيقة إلى الربط الهجين'. الربط الهجين هو تقنية تقلل الفجوات بين الرقائق مما يحسن الكفاءة الحرارية والكثافة التكاملية ويعزز التأخير الزمني والنطاق الترددي.
![نموذج يتعلق بتقنية التغليف المتقدم للذاكرة عالية النطاق الترددي، كشفت عنه أبلايد ماتيريالز في 31 أغسطس في مركز كوكس بريمير أوكوود في سول. [الصورة: مراسل جو سيونغ-جون]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/31/20260831142002910451.jpg)
غير أن توقيت البدء بالإنتاج التجاري الكامل للربط الهجين في الذاكرة عالية النطاق الترددي لا يزال غير محدد. في جلسة الأسئلة والأجوبة، قيّم سرينيفاسان الربط الهجين كتقنية واعدة للذاكرة عالية النطاق الترددي، لكنه قال إن توقيت التطبيق المحدد هو 'مسألة يقررها العملاء'. وأضاف أنه بينما تخضع تقنيات الرقائق الجديدة لمنحنى تعليمي معين، فإن المشاكل التقنية من المتوقع أن يتم حلها.
يشكل هذا التطور تحدياً جديداً لشركتي سامسونج إلكترونيكس وإس كي هاينيكس، اللتين تتصدران سوق الذاكرة عالية النطاق الترددي. قال بارك كوانغ-سون الرئيس التنفيذي لأبلايد ماتيريالز كوريا: 'من بين ثلاث شركات تصنع ذاكرة متقدمة، اثنتان منها في كوريا، وإلى جانب ذلك تضاف تقنيات التغليف والمنطق المتقدم'، مؤكداً أن الأهمية الاستراتيجية لكوريا ستستمر في الارتفاع. وأضاف: 'نناقش كثيراً كيفية تطوير تقنيات التغليف التي تربط الرقائق معاً بسرعة وكيفية تطبيقها على الإنتاج الضخم في الوقت المناسب'.
تتغير أيضاً طرق تطوير التقنيات. وفقاً لسرينيفاسان، يمر المنطق المتقدم بأكثر من 2000 مرحلة معالجة، وتتطلب الذاكرة أكثر من 1200 مرحلة. شدد على أن 'التحسين المشترك' الذي يجمع بين المواد والعمليات والقياس أهم من تحسين كل عملية على حدة.
لتحقيق ذلك، تبني أبلايد ماتيريالز 'مركز إيبك (EPIC) ' في وادي السيليكون بالولايات المتحدة. الهدف هو تقليل وقت التسويق من خلال قيام شركات العملاء وموردي المعدات والمواد بالعمل معاً من مراحل التطوير الأولى إلى التطبيق على الإنتاج الضخم. تشارك سامسونج إلكترونيكس وإس كي هاينيكس كشركاء ممولين. أشار بارك إلى أن الشركة ستربط التقنيات الأولية التي طورتها في مركز إيبك الأمريكي بمركز التعاون قيد الإنشاء محلياً لتسريع الإنتاج التجاري لعملائها المحليين.
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.
