شركة CXMT الصينية تطرح ذاكرة D-RAM الجديدة للخوادم بتقنية 4F² قبل سامسونج بسنتين

صورة عامة لمقر شركة CXMT الرئيسي [الصورة من رويترز وأسوشيتد برس]

تسعى شركة CXMT (تشانغشين كرجي)، عملاق الذاكرة النصف ناقلة الصينية، إلى توسيع نطاق عملياتها من الأجهزة الإلكترونية للمستهلكين إلى سوق ذاكرة الخوادم عالية الأداء، معتمدة على تقنيات D-RAM الجديدة. وتهدف الشركة من خلال هذه الخطوة إلى منافسة السوق عالية القيمة التي تهيمن عليها شركات سامسونج وSK هاينيكس والشركة الأمريكية مايكرون.

وبحسب تقرير نشرته وسائل إعلام صينية في 12 من الشهر الجاري، أعلن تشاو كاندي يو، الرئيس التنفيذي لشركة CXMT، خلال مؤتمر قطاعي عقد في 10 منه عن خطة الشركة لإطلاق منتج ذاكرة DDR5 RDIMM للخوادم بمعمارية 4F² (أربعة إف تربيع) قبل نهاية العام الحالي. وRDIMM عبارة عن ذاكرة مؤقتة ذات أجهزة توفر إشارات من وحدة المعالجة المركزية بدقة محددة لدورة ساعة واحدة. أما تقنية 4F²، فهي معمارية D-RAM جيل جديد تحسّن كثافة التكامل من خلال تقليل مساحة الخلية الذاكرة. وبما أن هذه المعمارية أصغر من البنية 6F² السائدة حالياً في الصناعة، فإنها تتيح وضع خلايا الذاكرة على مساحة أقل، مما يزيد من سعة التخزين لكل شريحة.

وأوضح الرئيس التنفيذي أن CXMT ستستخدم هذه التقنية للتغلب على الحواجز التقنية التي ظلت تعيق دخول الشركة إلى سوق ذاكرة الخوادم. وتعتمد هذه التقنية الأساسية على ترانزستورات البوابة المحيطية الرأسية (VSG). ويعتقد المتخصصون في الصناعة الصينية أن تطبيق بنية 4F² يمكن أن يرفع كثافة تكامل الخلايا بنسبة تتراوح بين 30 و50 في المائة مقارنة بالتصاميم السابقة. وكشفت CXMT عن حيازتها على أكثر من 300 براءة اختراع تتعلق بهذه المعمارية.

ويعتبر تطوير هذا المنتج بمثابة اختبار حاسم لإثبات القدرات التنافسية لشركة CXMT في سوق ذاكرة الخوادم. وقال يوان قيادة معهد فاستثينك البحثي إن "الشركات الثلاث الكبرى العاملة في مجال الذاكرة تعمل على تطوير تقنية 4F² أو تقنيات D-RAM ثلاثية الأبعاد مماثلة، غير أنها لم تصل بعد إلى مرحلة التسويق على نطاق واسع." وتشير التحليلات إلى أن نجاح CXMT في تسويق المنتج أولاً قد يحقق لها ميزة استباقية في سوق الذاكرة الجديد ويعزز من قدرات سلسلة إمداد الرقائق المتقدمة الصينية.

من جانبها، تخطط شركة سامسونج لتسويق معمارية 4F² في عام 2028. وُيتوقع أن تستخدم سامسونج أسلوباً يتضمن تصنيع خلايا الذاكرة والدوائر المحيطية بشكل منفصل على رقائق سيليكون مختلفة، ثم دمجها معاً باستخدام تقنية الربط الهجين.



* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.